20kW西班牙海普威HIPIMS电源

HiPIMS高离化率配合脉冲偏压电源同步实现对金属离子的能量与分布进行调控，对基底进行金属离子刻蚀清洗，实现在金属和陶瓷、玻璃、光纤等绝缘基底实现高结合力，TiN在高速钢划痕结合力85N，在陶瓷基底金属化Cu结合力测试达到115N/mm2。

HiPIMS电源在瞬间形成高峰值电流，形成高密度等离子体，使得异性工件成膜均匀性大幅提升，在侧面、凹孔、通孔等形状内部也能形成均匀致密涂层；HiPIMS技术沉积孔内侧壁处膜层致密光滑，孔内金属层方块电阻更均匀且更低。

HiPIMS形成超高密度等离子体与脉冲偏压的脉冲同步配合，通过金属离子溅射沉积和刻蚀方式实现微深孔内壁金属化（孔径40um，孔深500um）；在陶瓷微孔（深径比为12）内壁金属化膜层均匀致密，接近垂直生长。

HiPIMS形成超高密度等离子体，实现靶材和反应气体的高离化率，得到高致密和表面光滑膜层。HiPIMS制备TiN亮度L值达到76.3，高于传统MF亮度值8个点。TiCN玫瑰金亮度L值达到65，接近多弧装饰镀亮度值。